Salah Satu Jenis Perangkat Keras Komputer

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Kecepatan komputer selalu didambakan oleh siapa saja. Berbagai usaha dan penelitian terus dilakukan untuk meningkatkan kemampuan komputer. Beberapa waktu yang lalu, super komputer tercepat di dunia telah hadir. Kini, giliran sebuah teknologi di bidang memori komputer.

Sebelumnya, Anda mungkin pernah mendengar istilah RAM (Ramdom Access Memory) untuk menyebut memori komputer. Memori RAM ini memiliki berbagai jenis, mulai dari EDO RAM, DDR1, DDR2 dan beberapa jenis lainnya. Namun, ternyata RAM saja belum cukup untuk memuaskan kebutuhan manusia akan tuntutan kecepatan. Oleh karena itu, Fisikawan dan Insinyur Jerman mengembangkan sebuah jenis memori baru.

Memori tersebut diberi nama Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM). Memory ini bukan hanya lebih cepat daripada RAM, tetapi juga lebih hemat energi. Kehadiran MRAM sepertinya akan meningkatkan perkembangan mobile computing dan level penyimpanan dengan cara membalik arah kutub utara-selatan medan magnet. Wallahu Ta’ala a’lam.

MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) adalah memori yang menggunakan teknologi electron spin untuk menyimpan informasi pada sebuah komputer. MRAM telah disebut memori yang ideal, yang menggabungkan potensi kepadatan dari DRAM dengan kecepatan SRAM dan non-volatility flash memory atau cakram keras. MRAM dapat menolak radiasi tinggi dan dapat beroperasi dalam kondisi suhu yang ekstrim. Insya Allah Ta’ala.

IBM dan beberapa perusahaan pengembang yang lain berencana menggunakan MRAM. MRAM ini akan memutar elektron-elektron untuk mengganti kutub magnet. Hal ini juga dikenal sebagai spin-torque MRAM (Torsi putar MRAM). Teknologi inilah yang kini sedang dikembangkan oleh para fisikawan dan insinyur Jerman. Dengan membangun pilar-pilar kecil berukuran 165 nano meter, akan mengakibatkan magnet variabel pada atas lapisan akan mengakibatkan arus listrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elektron. Medan magnet ini akan berubah dan hanya membutuhkan sedikit waktu untuk merubah kutub medan magnet ini. Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar. Ternyata, kecepatan MRAM mencapai 10 kali lipat kecepatan RAM. Kecepatan ini masih bisa terus dikembangkan dimasa depan. Insya Allah Ta’ala.

MRAM sebenarnya dapat menggantikan semua memori di komputer (DRAM, flash dan bahkan cakram keras) dan juga dapat bersaing dengan kecepatan SRAM (CPU cache memory). Insya Allah Ta’ala.

MRAM diaktifkan, komputer akan dapat segera terpasang (karena tidak ada beberapa tipe memori, seperti saat ini). MRAM dalam ponsel dapat berarti lebih banyak penyimpanan, dan lagi baterai.

Beberapa perusahaan lain yang juga bekerja pada MRAM, dan mencari waktu yang baik untuk ponsel dengan MRAM, MRAM atau Disk-On-Key kemungkinan pada 2010. Toshiba, misalnya, yang bekerja pada chip 1GB, dan mengatakan bahwa pada tahun 2015 akan menjadi kompetitor bagi DRAM.

Ada beberapa jenis baru MRAM (STT-RAM, NV-RAM, dll), yang menjanjikan untuk memberikan kepadatan lebih tinggi dan lebih manufaktur yang lebih murah. Saat ini beberapa perusahaan (Hynix, Grandis, STT, Samsung) yang bekerja di STT-RAM (MRAM Spin Transfer), yang mungkin menjanjikan teknologi MRAM terbaru, meskipun terlalu dini untuk mengatakan hal itu.

Wallahu Ta’ala a’lam.

__________________________________________

Sumber:

www.wikipedia.org

http://www.febrisatria.blogspot.com

Iklan

Tinggalkan Balasan

Isikan data di bawah atau klik salah satu ikon untuk log in:

Logo WordPress.com

You are commenting using your WordPress.com account. Logout / Ubah )

Gambar Twitter

You are commenting using your Twitter account. Logout / Ubah )

Foto Facebook

You are commenting using your Facebook account. Logout / Ubah )

Foto Google+

You are commenting using your Google+ account. Logout / Ubah )

Connecting to %s

%d blogger menyukai ini: